参数资料
| 型号： | AGLN060V2-ZVQ100 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 90/150页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 逻辑元件/单元数： | 1536 |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -20°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-28
Revision 17
Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Table 2-38 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
4.09 0.26 0.97
1.36
1.10
4.16 3.91 2.19 2.64
ns
4 mA
STD
1.55
4.09 0.26 0.97
1.36
1.10
4.16 3.91 2.19 2.64
ns
6 mA
STD
1.55
3.45 0.26 0.97
1.36
1.10
3.51 3.32 2.43 3.03
ns
8 mA
STD
1.55
3.45 0.26 0.97
1.36
1.10
3.51 3.32 2.43 3.03
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-39 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
2.68 0.26 0.97
1.36
1.10
2.72 2.26 2.19 2.74
ns
4 mA
STD
1.55
2.68 0.26 0.97
1.36
1.10
2.72 2.26 2.19 2.74
ns
6 mA
STD
1.55
2.31 0.26 0.97
1.36
1.10
2.34 1.90 2.43 3.14
ns
8 mA
STD
1.55
2.31 0.26 0.97
1.36
1.10
2.34 1.90 2.43 3.14
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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PDF描述 |
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