参数资料
| 型号： | AGLN060V5-CSG81I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 86/150页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 1KB 60K 81-CSP |
| 标准包装： | 640 |
| 系列： | IGLOO nano |
| 逻辑元件/单元数： | 1536 |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 60 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 81-WFBGA，CSBGA |
| 供应商设备封装： | 81-CSP（5x5） |
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IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 17
Table 2-29 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1 ()R(WEAK PULL-DOWN)2 ()
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 K
45 K
10 K
45 K
3.3 V (wide range I/Os)
10 K
45 K
10 K
45 K
2.5 V
11 K
55 K
12 K
74 K
1.8 V
18 K
70 K
17 K
110 K
1.5 V
19 K
90 K
19 K
140 K
1.2 V
25 K
110 K
25 K
150 K
1.2 V (wide range I/Os)
19 K
110 K
19 K
150 K
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULL-DOWN-MIN)
Table 2-30 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
25
27
4 mA
25
27
6 mA
51
54
8 mA
51
54
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent software default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
16
18
4 mA
16
18
6 mA
32
37
8 mA
32
37
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
1.2 V LVCMOS
1 mA
10
13
1.2 V LVCMOS Wide Range
100 A
10
13
Note: *TJ = 100°C
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PDF描述 |
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