参数资料
型号: AGLN060V5-VQG100I
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 94/150页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
标准包装: 90
系列: IGLOO nano
逻辑元件/单元数: 1536
RAM 位总计: 18432
输入/输出数: 71
门数: 60000
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-32
Revision 17
2.5 V LVCMOS
Low-Voltage CMOS for 2.5 V is an extension of the LVCMOS standard (JESD8-5) used for general
purpose 2.5 V applications.
Table 2-45 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
2.5 V
LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH
IOSL
IOSH
IIL 1 IIH 2
Drive
Strength
Min., V Max., V Min., V Max., V Max., V Min., V mA mA Max., mA3
Max., mA3 A4 A4
2 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
2
16
18
10
4 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
4
16
18
10
6 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
6
32
37
10
8 mA
–0.3
0.7
1.7
3.6
0.7
1.7
8
32
37
10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions where –0.3 < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions where VIH < VIN < VCCI. Input
current is larger when operating outside recommended ranges.
3. Currents are measured at high temperature (100°C junction temperature) and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
Figure 2-8 AC Loading
Table 2-46 2.5 V LVCMOS AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input LOW (V)
Input HIGH (V)
Measuring Point* (V)
CLOAD (pF)
02.5
1.2
5
Note: *Measuring point = Vtrip. See Table 2-23 on page 2-20 for a complete table of trip points.
Test Point
Enable Path
Datapath
5 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
5 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
5 pF for tHZ / tLZ
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