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参数资料
型号： AGLP060V2-VQG176
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 72/134页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA IGLOO PLUS 60K 176-VQFN
标准包装： 60
系列： IGLOO PLUS
逻辑元件/单元数： 1584
RAM 位总计： 18432
输入/输出数： 137
门数： 60000
电源电压： 1.14 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 176-TQFP
供应商设备封装： 176-VQFP（20x20）
IGLOO PLUS DC and Switching Characteristics
2-28
Revision 16
Timing Characteristics
Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Table 2-36 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
4 mA
STD
0.97
3.94 0.18 0.85
1.15
0.66
4.02 3.46 1.82 1.87
ns
6 mA
STD
0.97
3.20 0.18 0.85
1.15
0.66
3.27 2.94 2.04 2.27
ns
8 mA
STD
0.97
3.20 0.18 0.85
1.15
0.66
3.27 2.94 2.04 2.27
ns
12 mA
STD
0.97
2.72 0.18 0.85
1.15
0.66
2.78 2.57 2.20 2.53
ns
16 mA
STD
0.97
2.72 0.18 0.85
1.15
0.66
2.78 2.57 2.20 2.53
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-37 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
4 mA
STD
0.97
2.36 0.18 0.85
1.15
0.66
2.41 1.90 1.82 1.98
ns
6 mA
STD
0.97
1.96 0.18 0.85
1.15
0.66
2.01 1.56 2.04 2.38
ns
8 mA
STD
0.97
1.96 0.18 0.85
1.15
0.66
2.01 1.56 2.04 2.38
ns
12 mA
STD
0.97
1.76 0.18 0.85
1.15
0.66
1.80 1.39 2.20 2.64
ns
16 mA
STD
0.97
1.76 0.18 0.85
1.15
0.66
1.80 1.39 2.20 2.64
ns
Notes:
1. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
2. Software default selection highlighted in gray.
Table 2-38 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
4 mA
STD
0.98
4.56 0.19 0.99
1.37
0.67
4.63 3.98 2.26 2.57
ns
6 mA
STD
0.98
3.80 0.19 0.99
1.37
0.67
3.96 3.45 2.49 2.98
ns
8 mA
STD
0.98
3.80 0.19 0.99
137
0.67
3.86 3.45 2.49 2.98
ns
12 mA
STD
0.98
3.31 0.19 0.99
1.37
0.67
3.36 3.07 2.65 3.25
ns
16 mA
STD
0.98
3.31 0.19 0.99
1.37
0.67
3.36 3.07 2.65 3.25
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-39 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
4 mA
STD
0.98
2.92 0.19 0.99
1.37
0.67
2.97 2.38 2.25 2.70
ns
6 mA
STD
0.98
2.52 0.19 0.99
1.37
0.67
2.56 2.03 2.49 3.11
ns
8 mA
STD
0.98
2.52 0.19 0.99
1.37
0.67
2.56 2.03 2.49 3.11
ns
12 mA
STD
0.98
2.31 0.19 0.99
1.37
0.67
2.34 1.86 2.65 3.38
ns
16 mA
STD
0.98
2.31 0.19 0.99
1.37
0.67
2.34 1.86 2.65 3.38
ns
Notes:
1. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
2. Software default selection highlighted in gray
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PDF描述
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