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参数资料
| 型号： | AGR09130EF |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | FM-2 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | AGR09130EF |
4
Agere Systems Inc.
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR09130E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
920 (f1)
0.55 – j1.06
0.9 + j0.96
940
0.55 – j0.77
0.89 + j1.09
960 (f3)
0.58 – j0.66
0.84 + j1.35
0.1
0.2
0.3
0.4
0
.5
0.5
0.6
0
.7
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
.0
1
.0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-160
170
-170
180
±
90
-90
85
-85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.04
0.05
0
.0
6
0.0
7
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.4
3
0
.4
4
0.45
0.46
0.47
7
0.48
0.49
0.0
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
E
N
E
R
A
T
O
R
>
W
A
V
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L
E
N
G
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H
S
T
O
W
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L
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A
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IN
D
U
C
T
IV
E
R
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A
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A
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P
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E
N
T
(+
jX
/
Z
o)
, O
R
C
A
PA
C
IT
IV
E
SU
SC
EP
TA
N C
E (
+jB
/ Y
o)
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZL
f1
f3
ZS
f1
f3
Z0 = 5
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
Draf
tCopy
Only
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09130EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AGR1100 | 功能描述:可复位保险丝 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100-0.16 | 功能描述:可复位保险丝 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
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