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参数资料
| 型号： | ALD1101BPA |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, DIP-8 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | ALD1101BPA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1101DA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1101APA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1101PA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1101SA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1102APAXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1101BPAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1101BSAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1101DA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR |
| ALD1101MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 13.2V V(BR)DSS | TO-99 |
| ALD1101PA | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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