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参数资料
| 型号： | ALD1102APAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
| 产品目录绘图： | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 10µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1004 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
Power dissipation
-10.6V
-10.6V
500mW
Operating temperature range
SAL, PALpackages
0 ° C to +70 ° C
DA package
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
-55 ° C to +125 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
1102A
1102B
1102
Test
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ Max
Min
Typ
Max
Unit
Conditions
Gate Threshold
Voltage
V T
-0.4
-0.7
-1.2
-0.4
-0.7
-1.2
-0.4
-0.7
-1.2
V
I DS = -10 μ A V GS = V DS
Offset Voltage
V OS
2
5
10
mV
I DS = -100 μ A V GS = V DS
V GS1 - V GS2
Gate Threshold TC VT
-1.3
-1.3
-1.3
mV/ ° C
Temperature Drift
On Drain Current
I DS (ON)
-8
-16
-8
-16
-8
-16
mA
V GS = V DS = -5V
Transconductance G fs
2
4
2
4
2
4
mmho
V DS = -5V I DS = -10mA
Mismatch
? G fs
0.5
0.5
0.5
%
Output
G OS
500
500
500
μ mho
V DS = -5V I DS = -10mA
Conductance
Drain Source
R DS(ON)
180
270
180
270
180
270
?
V DS = -0.1V V GS = -5V
ON Resistance
Drain Source
ON Resistance
? R DS(ON)
0.5
0.5
0.5
%
V DS = -0.1V V GS = -5V
Mismatch
Drain Source
Breakdown
BV DSS
-12
-12
-12
V
I DS = -10 μ A V GS =0V
Voltage
Off Drain Current
I DS(OFF)
0.1
4
0.1
4
0.1
4
nA
V DS =-12V V GS = 0V
4
4
4
μ A
T A = 125 ° C
Gate Leakage
I GSS
1
50
1
50
1
50
pA
V DS =0V V GS =-12V
Current
10
10
10
nA
T A = 125 ° C
Input
C ISS
6
10
6
10
6
10
pF
Capacitance
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2043TYW01-JA | SWITCH ROCKER 4PDT 6A 125V |
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| M2042TNG03-DA | SWITCH ROCKER 4PDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1102ASAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1102B | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR |
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| ALD1102BPAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1102BSAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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