参数资料
型号: ALD1102PAL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP
产品目录绘图: 8-Pin Plastic Dip Package
标准包装: 50
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 10µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
其它名称: 1014-1006
SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
A
Min
1.35
Max
1.75
Min
0.053
Max
0.069
S (45 ° )
D
A 1
b
C
D-8
E
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
5.70
6.30
0.224
0.248
A
L
?
0.60
0 °
0.937
8 °
0.024
0 °
0.037
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD1102A/ALD1102B/ALD1102
Advanced Linear Devices
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PDF描述
ALD114835SCL MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC
DC12.4102.003 MOD PWR 6A STD FILTER 1PL QC PNL
B32522C3154K FILM CAP 0.1500UF 10% 250V
B32521C3204K FILM CAP 0.2000UF 10% 350V
5220.0643.3 MOD PWR INLET MED FILTER 6A PNL
相关代理商/技术参数
参数描述
ALD1102SA 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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