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参数资料
| 型号： | ALD1103DB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12 V, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | CERDIP-14 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | ALD1103DB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1106DB | 12 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1116SA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1106PB | 12 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1116DA | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1106SB | 12 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1103PB | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1103PBL | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1103SB | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1103SBL | 功能描述:MOSFET Dual P&N-Ch. Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1105 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
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