参数资料
型号: ALD110900PAL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
产品目录绘图: 8-Pin Plastic Dip Package
标准包装: 50
系列: THRESHOLD™, EPAD®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 4V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 20mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
其它名称: 1014-1032
SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
A
Min
1.35
Max
1.75
Min
0.053
Max
0.069
S (45 ° )
D
A 1
b
C
D-8
E
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
5.70
6.30
0.224
0.248
A
L
?
0.60
0 °
0.937
8 °
0.024
0 °
0.037
8 °
e
b
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
Advanced Linear Devices
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PDF描述
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ALD114913PAL MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
相关代理商/技术参数
参数描述
ALD110900SA 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY
ALD110900SAL 功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ALD110902 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
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