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参数资料
| 型号： | ALD110904PAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP |
| 产品目录绘图： | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 4.4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 420mV @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1036 |
SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
S (45 ° )
D
A
A 1
b
C
D-8
E
1.35
0.10
0.35
0.18
4.69
3.50
1.75
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.053
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.069
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
e
1.27 BSC
0.050 BSC
A
H
L
5.70
0.60
6.30
0.937
0.224
0.024
0.248
0.037
e
b
A 1
?
S
0 °
0.25
8 °
0.50
0 °
0.010
8 °
0.020
S (45 ° )
H
C
L
?
ALD110804/ALD110904
Advanced Linear Devices
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC736R-282.624 | OSC 282.624 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32524Q1106J189 | FILM CAP 10UF 5% 100V |
| B32562J6105K | FILM CAP 1.0UF 10% 400V |
| B32653A1563J | FILM CAP 56NF 5% 1600V MKP |
| M2012SD3G03 | SW TOGGLE SPDT THR .4VA .250"PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD110904SA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD110904SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel EPAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD110908 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD110908A | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
| ALD110908APA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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