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参数资料
| 型号： | ALD1115PAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 13.2V 8PDIP |
| 产品目录绘图： | 8-Pin Plastic Dip Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 13.2V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8mA，2mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1044 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Drain-source voltage, V DS
Gate-source voltage, V GS
Power dissipation
Operating temperature range SAL, PALpackages
Storage temperature range
Lead temperature, 10 seconds
CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.
OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T A = 25 ° C unless otherwise specified
10.6V
10.6V
500 mW
0 ° C to +70 ° C
-65 ° C to +150 ° C
+260 ° C
N - Channel
Test
P - Channel
Test
Parameter
Symbol
Min Typ Max
Unit
Conditions
Min Typ Max
Unit
Conditions
Gate Threshold V T
0.4
0.7
1.0
V
I DS = 1 μ A V GS = V DS
-0.4
-0.7 -1.0
V
I DS = -1 μ A V GS = V DS
Voltage
Gate Threshold
Temperature TC VT
-1.2
mV/ ° C
-1.3
mV/ ° C
Drift
On Drain
I DS (ON)
3
4.8
mA
V GS = V DS = 5V
-1.3
-2
mA
V GS = V DS = -5V
Current
Trans-.
G fs
1
1.8
mmho
V DS = 5V I DS = 10mA
0.25
0.67
mmho
V DS = -5V I DS = -10mA
conductance
Output
G OS
200
μ mho
V DS = 5V I DS = 10mA
40
μ mho
V DS = -5V I DS = -10mA
Conductance
Drain Source R DS(ON)
350
500
?
V DS = 0.1V V GS = 5V
1200
1800
?
V DS = -0.1V V GS = -5V
ON Resistance
Drain Source
BV DSS
10
V
I DS = 1 μ A V GS =0V
-10
V
I DS = -1 μ A V GS =0V
Breakdown
Voltage
Off Drain
Current
Gate Leakage
Current
Input
I DS(OFF)
I GSS
C ISS
10
0.1
1
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V DS =10V I GS = 0V
T A = 125 ° C
V DS = 0V V GS =10V
T A = 125 ° C
10
1
1
400
4
30
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V DS = -10V V GS = 0V
T A = 125 ° C
V DS = 0V V GS =-10V
T A = 125 ° C
Capacitance
ALD1115
Advanced Linear Devices
2 of 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JWL21BA1A-A | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
| DC22.1111.111 | POWER ENTRY MOD W FILTER 1A |
| JWL21BA2A-A | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
| ALD1115SAL | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC |
| 425F11A027M0000 | CRYSTAL 27.0 MHZ 10PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1115SA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:COMPLEMENTARY N-CHANNEL AND P-CHANNEL MOSFET |
| ALD1115SAL | 功能描述:MOSFET Comp N-Channel & P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
| ALD1116DA | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET ARRAY |
| ALD1116PA | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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