- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51255 > ALD1116DAMXXXX 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ALD1116DAMXXXX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | ALD1116DAMXXXX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107DBMXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1117SAXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107SBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1107PBXXXX | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALD1117DAMXXXX | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1116PA | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116SA | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1116SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD1117 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL AND DUAL P-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。