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参数资料
| 型号： | ALD1117SA |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | ALD1117SA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALD1107PB | 12 V, 4 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| ALF08N20K | 8 A, 200 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| ALF08N16K | 8 A, 160 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| ALF08N20V | 8 A, 200 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| ALF08N16V | 8 A, 160 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ALD1117SAL | 功能描述:MOSFET Dual P-Channel Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910MAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910PAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111910SAL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ALD111933 | 制造商:ALD 制造商全称:Advanced Linear Devices 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY |
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