| 型号: | ALD111933SAL |
| 厂商: | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
| 产品目录绘图: | 8-Pin SOIC Package |
| 标准包装: | 50 |
| 系列: | EPAD® |
| FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6.9mA |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 500 欧姆 @ 5.9V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3.35V @ 1µA |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 8-SOIC |
| 包装: | 管件 |
| 其它名称: | 1014-1052 |