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参数资料
| 型号： | ALD114913SAL |
| 厂商： | Advanced Linear Devices Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-Pin SOIC Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | EPAD® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 欧姆 @ 2.7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.26V @ 1µA |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1014-1066 |
PDIP-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic DIP Package
E
E1
Millimeters
Inches
Dim
A
A 1
A 2
b
b 1
Min
3.81
0.38
1.27
0.89
0.38
Max
5.08
1.27
2.03
1.65
0.51
Min
0.105
0.015
0.050
0.035
0.015
Max
0.200
0.050
0.080
0.065
0.020
S
D
c
D-8
E
0.20
9.40
5.59
0.30
11.68
7.11
0.008
0.370
0.220
0.012
0.460
0.280
A2
A
E 1
7.62
8.26
0.300
0.325
b
e
A 1
L
e
e 1
L
2.29
7.37
2.79
2.79
7.87
3.81
0.090
0.290
0.110
0.110
0.310
0.150
S-8
1.02
2.03
0.040
0.080
b 1
?
0 °
15 °
0 °
15 °
c
e 1
?
ALD114813/ALD114913
Advanced Linear Devices
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参数描述 |
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