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参数资料
| 型号： | AM29BDS640GBC4WSI |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 20 ns, PBGA80 |
| 封装： | 11 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件页数： | 69/77页 |
| 文件大小： | 1581K |
| 代理商： | AM29BDS640GBC4WSI |
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May 9, 2006 25903C2
Am29BDS640G
69
Data
Sheet
AC Characteristics
Note:
A14, A13, A12 = “101” 5 programmed, 7 total
A14, A13, A12 = “100” 4 programmed, 6 total
A14, A13, A12 = “011” 3 programmed, 5 total
A14, A13, A12 = “010” 2 programmed, 4 total
A14, A13, A12 = “001” 1 programmed, 3 total
A14, A13, A12 = “000” 0 programmed, 2 total
Figure assumes address D0 is not at an address boundary, active clock edge is rising, and wait state is set to “101”.
Figure 32. Example of Wait States Insertion (Standard Handshaking Device)
Data
AVD#
OE#
CLK
12
3
4
5
D0
D1
01
6
2
7
3
total number of clock cycles
following AVD# falling edge
Rising edge of next clock cycle
following last wait state triggers
next burst data
number of clock cycles
programmed
45
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