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参数资料
| 型号： | AM29F040B-70JIB |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件页数： | 17/30页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | AM29F040B-70JIB |
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24
Am29F040B
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Alternate CE# Controlled Writes
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Note: Both DQ6 and DQ2 toggle with OE# or CE#. See the text on DQ6 and DQ2 in the section “Write Operation Status” for more
information.
21445C-18
Figure 13.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
WE#
DQ6
DQ2
DQ2 and DQ6 toggle with OE# and CE#
Erase
Complete
Erase
Suspend
Program
Resume
Embedded
Erasing
Parameter Symbols
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-55
-70
-90
-120
-150
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
150
ns
tAVEL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
40
45
50
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHEL
Read Recover Time Before Write
Min
0
ns
tWLEL
tWS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
Write Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
tEHEL
tCPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
tWHWH1
Byte Programming Operation
Typ
7
s
tWHWH2
Sector Erase Operation
Typ
1
sec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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