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参数资料
| 型号： | Am29F040B-70PCB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩× 8位）的CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体 |
| 文件页数： | 19/30页 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | AM29F040B-70PCB |
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26
Am29F040B
P R E L I M I NARY
LATCHUP CHARACTERISTICS
Includes all pins except VCC. Test conditions: VCC = 5.0 V, one pin at a time.
TSOP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Min
Max
Input Voltage with respect to VSS on all I/O pins
–1.0 V
VCC + 1.0 V
VCC Current
–100 mA
+100 mA
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
6
7.5
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
8.5
12
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
7.5
9
pF
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
4
6
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
8
12
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VPP = 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°C
10
Years
125
°C
20
Years
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PDF描述 |
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