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参数资料
| 型号： | Am29F100B-120DGI |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | Hex Inverters 14-TSSOP -40 to 85 |
| 中文描述： | 1兆位（128亩x 8-Bit/64亩x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区快闪记忆体模修订1 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | AM29F100B-120DGI |
4
Am29F100 Known Good Die
SU PP L E ME NT
PAD DESCRIPTION
Note: The coordinates above are relative to the center of pad 1 and can be used to operate wire bonding equipment.
Pad
Signal
Pad Center (mils)
Pad Center (millimeters)
X
YXY
1VCC
0.0
0.00
2DQ4
–16.5
0.6
–0.42
0.02
3
DQ12
–27.0
0.6
–0.69
0.02
4
DQ5
–37.8
0.6
–0.96
0.02
5
DQ13
–48.4
0.6
–1.23
0.02
6
DQ6
–59.1
0.6
–1.50
0.02
7
DQ14
–69.7
0.6
–1.77
0.02
8
NC
–80.5
0.6
–2.04
0.02
9
DQ7
–91.0
0.6
–2.31
0.02
10
NC
–103
0.6
–2.62
0.02
11
NC
–109.6
0.6
–2.78
0.02
12
DQ15
–114.7
–20.6
–2.91
–0.52
13
VSS
–114.7
–29.5
–2.91
–0.75
14
BYTE#
–113.3
–37.0
–2.88
–0.94
15
A15
–110.2
–121.9
–2.80
–3.10
16
A14
–100.0
–121.9
–2.54
–3.10
17
A13
–90.0
–121.9
–2.29
–3.10
18
A12
–79.9
–121.9
–2.03
–3.10
19
A11
–69.9
–121.9
–1.78
–3.10
20
A10
–59.9
–121.9
–1.52
–3.10
21
A9
–49.9
–121.9
–1.27
–3.10
22
A8
–39.9
–121.9
–1.01
–3.10
23
WE#
–29.9
–121.9
–0.76
–3.10
24
RESET#
47.8
–121.9
1.21
–3.10
25
RY/BY#
61.2
–121.9
1.55
–3.10
26
A7
71.1
–121.9
1.81
–3.10
27
A6
81.1
–121.9
2.06
–3.10
28
A5
91.0
–121.9
2.31
–3.10
29
A4
101.1
–121.9
2.57
–3.10
30
A3
114.5
–121.9
2.91
–3.10
31
A2
121.4
–121.9
3.08
–3.10
32
A1
131.4
–121.9
3.34
–3.10
33
A0
134.5
–41.1
3.42
–1.04
34
CE#
134.5
–32.7
3.42
–0.83
35
VSS
134.5
–17.6
3.42
–0.45
36
OE#
130.7
0.6
3.32
0.02
37
NC
120.9
0.6
3.07
0.02
38
NC
114.2
0.6
2.90
0.02
39
NC
107.5
0.6
2.73
0.02
40
DQ0
91.6
0.6
2.33
0.02
41
DQ8
80.2
0.6
2.04
0.02
42
DQ1
69.4
0.6
1.76
0.02
43
DQ9
58.9
0.6
1.50
0.02
44
DQ2
48.1
0.6
1.22
0.02
45
DQ10
37.5
0.6
0.95
0.02
46
DQ3
26.7
0.6
0.68
0.02
47
DQ11
16.2
0.6
0.41
0.02
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