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参数资料
| 型号： | AM29F160DB120 |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1个M x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 30/46页 |
| 文件大小： | 914K |
| 代理商： | AM29F160DB120 |
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Am29F160D
29
DC CHARACTERISTICS
CMOS Compatible
Notes:
1. I
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
2. Maximum I
CC
specifcations are tested with V
CC
= V
CC
max
3. Not 100% tested.
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Load Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC
max
±
1.0
μA
I
LIT
A9, OE#, RESET Input Load
Current
V
CC
= V
CC max
,
A9 = OE# = RESET = 12.5 V
35
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC max
±
1.0
μA
I
CC1
V
CC
Active Read Current
(Note 2)
CE# = V
IL
,
OE# = V
IH
,
f
= 5 MHz
Byte Mode
15
40
mA
CE# = V
IL
,
OE# = V
IH
,
f
= 5 MHz
Word Mode
15
50
mA
I
CC2
V
CC
Active Write Current
(Notes 1, 2, 3)
CE# = V
IL
,
OE#
=
V
IH
35
50
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current (Note 2)
CE# and RESET# = V
CC
±
0.5 V,
WP# = V
CC
±
0.5 V or floating,
OE# = V
IH
0.3
5
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 x V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC min
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC min
0.85 V
CC
V
V
OH2
I
OH
= –100 μA, V
CC
= V
CC min
V
CC
–0.4
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage (Note
3)
3.2
4.2
V
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PDF描述 |
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