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参数资料
| 型号： | AM29F160DT120 |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | Triple 3-Input Positive-AND Gates 14-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1个M x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 27/46页 |
| 文件大小： | 914K |
| 代理商： | AM29F160DT120 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页当前第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页
26
Am29F160D
Table 10.
Write Operation Status
Notes:
1. DQ7 and DQ2 require a valid address when reading status information. Refer to the appropriate subsection for further details.
2.
DQ5 switches to ‘1’ when an Embedded Program or Embedded Erase operation has exceeded the maximum timing limits.
See “DQ5: Exceeded Timing Limits” for more information.
Operation
DQ7
(Note 1)
DQ7#
0
DQ6
Toggle
Toggle
DQ5
(Note 2)
0
0
DQ3
N/A
1
DQ2
(Note 1)
No toggle
Toggle
RY/BY#
0
0
Standard
Mode
Embedded Program Algorithm
Embedded Erase Algorithm
Reading within Erase
Suspended Sector
Reading within Non-Erase
Suspended Sector
Erase-Suspend-Program
Erase
Suspend
Mode
1
No toggle
0
N/A
Toggle
1
Data
Data
Data
Data
Data
1
DQ7#
Toggle
0
N/A
N/A
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29F160DT-120EI | 制造商:Spansion 功能描述:16M (2MX8/1MX16) 5V, BOOT BLOCK, TOP, TSOP48, IND - Trays |
| AM29F160DT-70EF\\T | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8/1MX16 70NS 48TSOP - Tape and Reel |
| AM29F160DT-70EF\T | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 5V 16MBIT 2MX8/1MX16 70NS 48TSOP - Tape and Reel |
| AM29F160DT-70EI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TSOP |
| AM29F160DT-75EF | 功能描述:闪存 16Mb 75ns 5V Parallel NOR 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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