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参数资料
| 型号： | Am29F200AB-55SEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256亩x 8-Bit/128亩x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 22/39页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | AM29F200AB-55SEB |
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22
Am29F200A
P R E L I M I N A R Y
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. The I
CC
current is typically less than 2 mA/MHz, with OE
#
at V
IH
.
2. I
CC
active while Embedded Program or Erase Algorithm is in progress.
3. Not 100% tested.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
I
LI
Input Load Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max
±
1.0
μ
A
I
LIT
A9, OE
#
, RESET
#
Input Load
Current
V
CC
= V
CC
Max,
A9, OE
#
, RESET
#
= 12.5 V
50
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max
±
1.0
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Read Current (Note 1)
CE
#
= V
IL
, OE
#
= V
IH
Byte
40
mA
Word
50
I
CC2
V
CC
Active Program/Erase Current
(Notes 2, 3)
CE
#
= V
IL
, OE
#
= V
IH
60
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current
V
CC
= V
CC
Max, CE
#
= V
IH
, OE
#
= V
IH
1.0
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+ 0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC
Min
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min
2.4
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
3.2
4.2
V
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PDF描述 |
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