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参数资料
| 型号： | Am29F200AT-70EEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256亩x 8-Bit/128亩x 16位），5.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 24/39页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | AM29F200AT-70EEB |
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24
Am29F200A
P R E L I M I N A R Y
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0
Device
Under
Test
20637B-13
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalents.
Test Condition
-55
All
others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
20
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
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PDF描述 |
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