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参数资料
| 型号： | AM29F800B-120 |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），5.0伏的CMOS只，扇区擦除闪存 |
| 文件页数： | 21/41页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | AM29F800B-120 |
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8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
21
P R E L I M I N A R Y
Figure 3.
Data Polling Algorithm
Start
Fail
No
DQ7=Data
No
Pass
Yes
No
Yes
Note:
1.
DQ7 is rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.
DQ7=Data
DQ5=1
Yes
Read Byte
(DQ0–DQ7)
Addr=VA
Read Byte
(DQ0–DQ7)
Addr=VA
VA=Byte address for programming
=any of the sector addresses within the
sector being erased during sector erase
operation
=Valid address equals any non-protected
sector group address during chip erase
20375C-8
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PDF描述 |
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