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参数资料
| 型号： | AM29F800B-70SEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），5.0伏的CMOS只，扇区擦除闪存 |
| 文件页数： | 27/41页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | AM29F800B-70SEB |
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8/18/97
Am29F800T/Am29F800B
27
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Write/Erase/Program Operations
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. Not 100% tested.
3. These timings are for Temporary Sector Unprotect operation.
4. Output Driver Disable Time.
Parameter
Symbols
Description
-70
-90
-120
-150
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 2)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
30
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read (Note 2)
Min
0
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling (Note 2)
Min
10
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE High to WE Low)
Min
0
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min
0
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ
7
7
7
7
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ
1
1
1
1
sec
Max
8
8
8
8
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note 2)
Min
50
50
50
50
μ
s
t
VIDR
Rise Time to V
ID
Min
500
500
500
500
ns
t
RP
RESET Pulse Width
Min
500
500
500
500
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay (Note 2)
Min
30
35
50
55
ns
t
RSP
RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
(Notes 2, 3)
Min
4
4
4
4
μ
s
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PDF描述 |
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