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参数资料
| 型号： | AM29F800BB-70EF |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件页数： | 26/45页 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | AM29F800BB-70EF |
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30
Am29F800B
21504E8 November 17, 2009
D A TA SH EE T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
-55
-70
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
30
35
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
7
s
Word
Typ
12
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
tVCS
Min
50
s
tRB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
30
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F800BB-70SF | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:44-SOIC; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| AM29F800BT-55EF | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:55ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| AM29F800BT-55SF | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:44-SOIC; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:55ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| AM29F800BT-70EF | Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:8Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:5V; Access Time, Tacc:70ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes |
| AM29F800T-120SI | FLASH 5V PROM, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AM29F800BB-70EF\\T | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29F800BB-70EF\T | 功能描述:闪存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AM29F800BB-70EI | 功能描述:闪存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AM29F800BB-70EI\\T | 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512KX16)BOTTOM SECTOR |
| AM29F800BB-70EI\T | 功能描述:闪存 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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