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参数资料
| 型号： | Am29LV001BT-45RFE |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 1兆位（128亩× 8位）的CMOS 3.0伏，只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 24/38页 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | AM29LV001BT-45RFE |
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Am29LV001B
24
P R E L IM IN A R Y
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
21557C-14
Figure 11.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-45R,
-55
-70,
-90
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
21557C-15
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
21557C-16
Figure 12.
Input Waveforms and Measurement Levels
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