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参数资料
| 型号： | AM29LV004B-90REC |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封装： | TSOP-40 |
| 文件页数： | 26/36页 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | AM29LV004B-90REC |
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26
Am29LV004
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-90R
-100
-120
-150
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
50
50
50
65
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
30
30
35
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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