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参数资料
| 型号： | Am29LV004B-90RFEB |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512亩× 8位）的CMOS 3.0伏，只引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 24/36页 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | AM29LV004B-90RFEB |
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24
Am29LV004
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Read Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 10 and Table 7 for test specifications.
Parameter
Description
Speed Option
JEDEC
Std
Test Setup
-90R
-100
-120
-150
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
120
150
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE# = V
IL
OE# = V
IL
Max
90
100
120
150
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
90
100
120
150
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
40
40
50
55
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
30
30
30
40
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
30
30
30
40
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or
OE#, Whichever Occurs First (Note 1)
Min
0
ns
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
OE
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
t
OH
21522A-14
Figure 12.
Read Operations Timings
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PDF描述 |
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参数描述 |
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