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参数资料
| 型号： | AM29LV160DB-70WCD |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分类： | FLASH |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16Mb(2M×8位/1Mx16位), 3V, CMOS引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 39/52页 |
| 文件大小： | 844K |
| 代理商： | AM29LV160DB-70WCD |
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22358B7
May 5, 2006
Am29LV160D
37
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
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