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参数资料
| 型号： | AM29LV160DB-90EI |
| 厂商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分类： | FLASH |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16Mb(2M×8位/1Mx16位), 3V, CMOS引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 46/52页 |
| 文件大小： | 844K |
| 代理商： | AM29LV160DB-90EI |
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Am29LV160D
May 5, 2006 22358B7
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, DQ7# = complement of the data written to the device, D
OUT
= data written to the
device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
3. Word mode address used as an example.
Figure 24. Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
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PDF描述 |
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