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参数资料
| 型号： | AM29LV640ML101FI |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O⑩ Control |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封装： | REVERSE, MO-142B, TSOP-56 |
| 文件页数： | 7/62页 |
| 文件大小： | 602K |
| 代理商： | AM29LV640ML101FI |
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December 14, 2005 26191F3
Am29LV640MH/L
5
D A T A S H E E T
PRODUCT SELECTOR GUIDE
Notes:
1. See “AC Characteristics” for full specifications.
2. For the Am29LV640MH-L device, the last numeric digit in the
speed option (e.g. 101, 112, 120) is used for internal
purposes only. Please use OPNs as listed on p. 9 when
placing orders.
BLOCK DIAGRAM
Part Number
Am29LV640MH/L
112R
(V
IO
= 1.65–
3.6 V)
Speed
Option
V
CC
= 3.0–3.6 V
90R
(V
IO
= 3.0–
3.6 V)
101R
(V
IO
= 2.7–
3.6 V)
101
(V
IO
= 2.7–
3.6 V)
100
100
120R
(V
IO
= 1.65
–3.6 V)
V
CC
= 2.7–3.6 V
112
(V
IO
= 1.65
–3.6 V)
120
(V
IO
= 1.65–
3.6 V)
Max. Access Time (ns)
Max. CE# Access Time (ns)
Max. Page access time
(t
PACC
)
Max. OE# Access Time (ns)
90
90
110
110
120
120
25
30
30
40
30
40
25
30
30
40
30
40
Input/Output
Buffers
X-Decoder
Y-Decoder
Chip Enable
Output Enable
Logic
Erase Voltage
Generator
PGM Voltage
Generator
Timer
V
CC
Detector
State
Control
Command
Register
V
CC
V
SS
WE#
WP#/ACC
BYTE#
CE#
OE#
STB
STB
DQ0
–
DQ15 (A-1)
Sector Switches
RY/BY#
RESET#
Data
Latch
Y-Gating
Cell Matrix
A
A21–A0
V
IO
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PDF描述 |
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