参数资料
型号: AM80912-085
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封装: HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, SO42, 2 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 326K
代理商: AM80912-085
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October, 5 2001
AM80912-085
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AVIONICS APPLICATIONS
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
EMITTER SITE BALLASTED
5:1 VSWR CAPABILITY
LOW THERMAL RESISTANCE
INPUT/OUTPUT MATCHING
OVERLAY GEOMETRY
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
POUT = 80 W MIN. WITH 7.27 dB GAIN
DESCRIPTION
The AM80912-085 is designed for specialized
avionics applications including JTIDS, where
power is provided under pulse formats utilizing
short pulse widths and high burst or overall duty
cycles.
The AM80912-085 is housed in a unique BIG-
PACTM Hermetic Metal/Ceramic package with
internal input/output impedance matching.
PIN CONNECTION
1
3
42
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
SO42
hermetically sealed
ORDER CODE
AM80912-085
BRANDING
80912-085
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PDISS
Power Dissipation* (TC ≤ 100 °C)
300
W
Ic
Device Current*
8.0
A
Vcc
Collector-Supply Voltage*
40
V
Tj
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
250
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 to +200
°C
THERMAL DATA
Rth(j-c)
Junction -Case Thermal Resistance*
0.75
°C/W
* Applies only to rated RF amplifier operation
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