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参数资料
| 型号： | AO3414 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | AO3414 |
AO3414
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
V
DS
=10V
I
D
=4.2A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=90°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO3414L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3420 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3420L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3421 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3421L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO3414_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V N-Channel MOSFET |
| AO3414L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO3414L_105 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 |
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| AO3415_108 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 |
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