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参数资料
| 型号： | AO4412 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | AO4412 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
3
2.1
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Maximum
30
±12
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
8.5
7.1
60
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
T
A
=25°C
Gate-Source Voltage
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4412
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 26m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 34m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4412 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and ultra low gate charge for
use has a fast high side switch. The source leads are
separated to allow a Kelvin connection to the source,
which may be used to bypass the source
inductance.Standard product AO4412 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4412L
is a Green Product ordering option. AO4412 and
AO4412L are electrically identical.
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4412L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413A | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413AL | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4414A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4414AL | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4412L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 15A SOIC 8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4413A | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413AL | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4413L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 15A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
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