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参数资料
| 型号： | AO4421L |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | AO4421L |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
24
54
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±20
-6.2
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-60
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-5
-40
3.1
2
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4421
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -60V
I
D
= -6.2 A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 50m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AO4421 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge. This device is suitable for use as a load
switch or in PWM applications.
Standard Product
AO4412 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4421L is a Green Product
ordering option. AO4421 and AO4421L are
electrically identical.
SOIC-8
Top View
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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