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参数资料
| 型号： | AO4437 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | AO4437 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
63
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
-11
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-12
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-9
-20
3
2.1
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4437
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -12V
I
D
= -11 A (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 16m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
< 25m
(V
GS
= -1.8V)
ESD Rating: 4KV HBM
General Description
The AO4437 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications. It is ESD protected.
Standard Product
AO4437 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4437L is a Green Product ordering
option. AO4437 and AO4437L are electrically identical.
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SOIC-8
Top View
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4437L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4438 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4438L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4440 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4440L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4437_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:12V P-Channel MOSFET |
| AO4437L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4438 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4438_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| AO4438_101 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8.2A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 8.2A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 标准包装:3,000 |
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