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参数资料
| 型号： | AO4447 |
| 厂商： | ALPHA |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -沟道增强型场效应晶体管 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 595K |
| 代理商： | AO4447 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4447L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4449 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4450 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4450L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4451 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4447_10 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4447A | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AO4447AL | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 17A 8-Pin SO |
| AO4447L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4448 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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