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参数资料
| 型号： | AO4456 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | AO4456 |
AO4456
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
C
oss
C
rss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
10ms
1ms
0.1s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
100
μ
V
DS
=15V
I
D
=20A
0
0.0001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)
Z
θ
J
T
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=40°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述 |
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