- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375332 > AO4624 (ALPHA) Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AO4624 |
| 厂商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增强模式互补场效应晶体管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | AO4624 |
AO4624
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
4.5V
10V
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
I
D
(Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
Ω
)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
I
S
125°
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
0
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
10
20
30
40
50
60
70
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
Ω
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=6.9A
125°C
25°C
25°C
I
D
=6.9A
5V
6V
I
D
=5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4625 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4700 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4700L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4701 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
| AO4702L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AO4624_09 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4625 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4627 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.5/3.5A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4629 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6/5.5A 8SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4630 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:- 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。