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参数资料
| 型号： | AO4914 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | AO4914 |
AO4914
Q1: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
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5
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I D
(A
)
V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
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R
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)
(m
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I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
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Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=4.5V
I
D=4A
V
GS=10V
I
D=8A
25°C
125°C
V
DS=5V
V
GS=4.5V
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GS=10V
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I D
(A
)
V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=2.5V
3V
10V
4V
5V
3.5V
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30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I D
(A
)
V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
10
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25
30
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I S
(A
)
V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
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50
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100
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150
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N
o
rm
a
li
ze
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=4.5V
I
D=4A
V
GS=10V
I
D=8A
10
20
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40
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2
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R
D
S
(O
N
)
(m
)
V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=5V
V
GS=4.5V
V
GS=10V
I
D=8A
25°C
125°C
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I D
(A
)
V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=2.5V
3V
10V
4V
5V
3.5V
FET+Schottky
Rev 11: Mar. 2011
www.aosmd.com
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