参数资料
型号: AOD4184
厂商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分类: JFETs
英文描述: 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封装: GREEN, DPAK-3
文件页数: 3/6页
文件大小: 286K
代理商: AOD4184
AOD4184/AOI4184
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0
20
40
60
80
100
2
2.5
3
3.5
4
4.5
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
I D
(A)
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
R
DS
(O
N)
(m
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
(Note E)
I S
(A)
25°C
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
No
rm
aliz
ed
O
n
-R
esist
an
ce
VGS=4.5V
ID=15A
VGS=10V
ID=20A
5
10
15
20
25
24
68
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
R
DS
(O
N)
(m
)
25°C
125°C
VDS=5V
VGS=4.5V
VGS=10V
ID=20A
25°C
125°C
0
20
40
60
80
100
120
012
345
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
I D
(A)
VGS=3V
3.5V
5V
10V
4V
Rev 0 : Aug 2009
www.aosmd.com
Page 3 of 6
相关PDF资料
PDF描述
AOL1413 38 A, 30 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1414 85 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1712 65 A, 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1718 90 A, 30 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON7403 29 A, 30 V, 0.018 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
AOD4184_09 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET
AOD4184A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4184L 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AOD4185 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4185_003 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500