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参数资料
| 型号： | AOI4184 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封装： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | AOI4184 |
AOD4184/AOI4184
40V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
50A
RDS(ON) (at VGS=10V)
< 8m
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
< 11m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
120
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.3
25
TC=100°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
18
44
22
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
40
The AOD4184/AOI4184 used advanced trench technology
and design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK
package, those devices are well suited for high current
load applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
40V
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
5
Continuous Drain
Current
61
6.5
A
35
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
ID
50
40
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
50
1.5
TA=25°C
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
2.4
55
3
G
D
S
TO252
DPAK
TopView
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
D
Top View
Bottom View
TO-251A
IPAK
Rev0 : April 2009
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD4184 | 50 A, 40 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOL1413 | 38 A, 30 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1414 | 85 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1712 | 65 A, 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AOL1718 | 90 A, 30 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOI4185 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOI423 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 |
| AOI4286 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4286L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI442 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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