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参数资料
| 型号： | AP1002BMX |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 32 A, 30 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN AND LEAD FREE, GREENFET PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | AP1002BMX |
AP1002BMX
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
ja
)
PDM
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
Rthja = 45℃/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor = 0.5
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
0
10
203040
5060
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =25A
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
5
9
131721
2529
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
td(on) tr
td(off) tf
VDS
VGS
10%
90%
V DS =15V
V DS =18V
V DS =24V
Operation in this area
limited by RDS(ON)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP1003BST | 17.3 A, 30 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP1004CMX | 32 A, 25 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP1005BSQ | 19 A, 25 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP10N60W | 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP1203AGMT-HF | 15.8 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AP1003 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
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| AP1005 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
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| AP1007 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
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