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参数资料
| 型号： | AP1322GEU |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | AP1322GEU |
Advanced Power
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp.
POWER MOSFET
▼ Lower Gate Charge
BVDSS
20V
▼ Simple Gate Drive
RDS(ON)
600mΩ
▼ Small Package Outline
ID
600mA
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Unit
VDS
V
VGS
V
ID@TA=25℃
mA
ID@TA=70℃
mA
IDM
A
PD@TA=25℃
W
W/℃
TSTG
℃
TJ
℃
Symbol
Value
Unit
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
3
360
℃/W
Data and specifications subject to change without notice
AP1332GEU
Parameter
Rating
RoHS-compliant Product
Drain-Source Voltage
20
Gate-Source Voltage
±8
Continuous Drain Current
3
600
Continuous Drain Current
3
470
Pulsed Drain Current
1
2.5
Total Power Dissipation
0.35
-55 to 150
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
Linear Derating Factor
0.003
Storage Temperature Range
Thermal Data
Parameter
201019073-1/4
D
G
S
SOT-323
G
D
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
low on-resistance and cost-effectiveness.
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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