参数资料
型号: AP2166SG-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC USB PWR SWITCH 1A DUAL 8SOP
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 13/Jan/2012
标准包装: 1
类型: USB 开关
输出数: 2
Rds(开): 135 毫欧
内部开关:
电流限制: 1.5A
输入电压: 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 标准包装
产品目录页面: 1137 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: AP2166SGDIDKR
AP2166/ AP2176
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, C IN = 10μF, V IN = +5V, unless otherwise specified.)
Symbol
V UVLO
I SHDN
I Q
Parameter
Input UVLO
Input Shutdown Current
Input Quiescent Current, Dual
R LOAD = 1k ?
Disabled, I OUT = 0
Enabled, I OUT = 0
Test Conditions
Min
1.6
Typ
1.9
0.5
95
Max
2.5
1
140
Unit
V
μA
μA
I LEAK
I REV
Input Leakage Current
Reverse Leakage Current
Disabled, OUT grounded
Disabled, V IN = 0V, V OUT = 5V, I REV at V IN
1
1
μA
μA
R DS(ON)
Switch on-resistance
V IN = 5V, I OUT = 1A, -40°C ≤ T A ≤ +85°C
MSOP-8EP
SO-8
90
100
135
135
m ?
m ?
V IN = 3.3V, I OUT = 1A, -40°C ≤ T A ≤ +85°C
120
160
m ?
I SHORT
Short-circuit current limit
Enabled into short circuit, C L = 68μF
1.5
A
I LIMIT
Over-Load Current Limit
V IN = 5V, V OUT = 4.8V, C L = 120μF, -40°C ≤ T A ≤ +85°C
1.1
1.5
1.9
A
I Trig
T SHORT
V IL
V IH
I SINK
T D(ON)
Current limiting trigger threshold
Short-circuit response time
EN Input Logic Low Voltage
EN Input Logic High Voltage
EN Input leakage
Output turn-on delay time
V IN = V EN , Output Current Slew rate (<100A/WS), C L = 68μF
V OUT = 0V to I OUT = I LIMIT (short applied to output), C L = 68μF
V IN = 2.7V to 5.5V
V IN = 2.7V to 5.5V
V EN = 5V
C L =1μF, R LOAD = 10 ?
2
2.0
20
0.05
0.8
1
A
μs
V
V
μA
ms
T R
T D(OFF)
T F
R FLG
I FOH
Output turn-on rise time
Output turn-off delay time
Output turn-off fall time
FLG output FET on-resistance
Error Flag Iff Current
C L =1μF, R LOAD = 10 ?
C L =1μF, R LOAD = 10 ?
C L =1μF, R LOAD = 10 ?
I FLG =10mA
V FLG = 5V
0.6
0.01
0.05
20
0.01
1.5
0.1
40
1
ms
ms
ms
?
μA
T Blank
T SHDN
FLG blanking time
Thermal shutdown threshold
C L = 68μF
Enabled, R LOAD = 1k ?
4
7
140
15
ms
? C
T HYS
Thermal shutdown hysteresis
25
? C
C/W
C/W
θ JA
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
SO-8 (Note 5)
MSOP-8EP (Note 6)
110
60
o
o
Notes:
5. Test condition for SO-8: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.
6. Test condition for MSOP-8EP: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to bottom
layer ground plane.
AP2166/ AP2176
Document number: DS31814 Rev. 3 - 2
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April 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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