参数资料
| 型号： | AP2280-2FMG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SW PROGR 6-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 105 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 2.0A |
| 输入电压： | 1.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN2018（2.0x1.8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1137 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | AP2280-2FMGDIDKR |
AP2280
Single Channel Slew Rate Controlled Load Switch
Electrical Characteristics
(T A = 25 o C, V IN = V EN = 5.0V, unless otherwise stated)
Symbol
I Q
I SHDN
I LEAK
Parameters
Input Quiescent Current
Input Shutdown Current
Input Leakage Current
Test Conditions
V EN = V IN , I OUT = 0
V EN = 0V, OUT open
V EN = 0V, OUT grounded
Min
?
?
?
Typ.
0.004
0.004
0.01
Max
1
1
1
Unit
μ A
μ A
μ A
V IN = 5.0V
80
105
m ?
R DS(ON)
V IL
Switch on-resistance
EN Input Logic Low Voltage
V IN = 3.3V
V IN = 1.8V
V IN = 1.5V
V IN = 1.5V to 6V
92
150
200
120
200
250
0.4
m ?
m ?
m ?
V
1.5V ≤ V IN ≤ 2.7V
1.4
V
V IH
EN Input Logic High Voltage
2.7V < V IN < 5.25V
V IN ≥ 5.25V
1.6
1.7
V
V
I SINK
T D(ON)
T ON
T D(OFF)
R DISCH
EN Input leakage
Output turn-on delay time
Output turn-on rise time
Output turn-off delay time
Discharge FET on-resistance
V EN = 5V
R load =10 Ω
AP2280-1, R load =10 Ω
AP2280-2, R load =10 Ω
R load =10 Ω
V EN = GND
?
1
1
100 150
1000 1500
0.4 1
20 40
μ A
μ S
μ S
μ S
μ S
?
θ JA
θ JC
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
Thermal Resistance Junction-to-case
SOT25 (Note 5)
DFN2018-6 (Note 6)
SOT25 (Note 5)
DFN2018-6 (Note 6)
160
93
38
41
o
o
C/W
C/W
Notes:
5. Test condition for SOT25: Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.
6. Test condition for DFN2018-6: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to
bottom layer 1.0"x1.4" ground plane.
AP2280 Rev. 6
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FEBRUARY 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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