参数资料
| 型号： | AP2281-1WG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH CONTROLLED SOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 100 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 2.0A |
| 输入电压： | 1.5 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AP2281-1WG-7DIDKR |
AP2281
Absolute Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Symbol
ESD HBM
Parameter
Human Body Model ESD Protection
Ratings
5
Unit
KV
ESD MM
V IN
V OUT
V EN
I load
T J
T ST
P D
Machine Model ESD Protection
Input Voltage
Output Voltage
Enable Voltage
Maximum Continuous Load Current
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Power Dissipation
SOT26
U-DFN2018-6
SOT26 (Note 4, 5, 6)
U-DFN2018-6 (Note 4, 5, 7)
500
450
6.5
VIN +0.3
6.5
2
-40 to +125
-65 to +150
720
1410
V
V
V
V
V
A
°C
°C
mW
mW
Notes:
4. T J , max = +125°C.
5. Ratings apply to ambient temperature at +25°C.
Stresses greater than the 'Absolute Maximum Ratings' specified above, may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only; functional
operation of the device at these or any other conditions exceeding those indicated in this specification is not implied. Device reliability may be affected by exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time.
Recommended Operating Conditions (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Symbol
V IN
I OUT
T A
Parameter
Input voltage
Output Current
Operating Ambient Temperature
Min
1.5
0
-40
Max
6.0
2.0
+85
Unit
V
A
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Symbol
I Q
I SHDN
I LEAK
R DS(ON)
V IL
V IH
I SINK
T D(ON)
T ON
T D(OFF)
R DISCH
Parameters
Input Quiescent Current
Input Shutdown Current
Input Leakage Current
Switch on-resistance
EN Input Logic Low Voltage
EN Input Logic High Voltage
EN Input leakage
Output turn-on delay time
Output turn-on rise time
Output turn-off delay time
Discharge FET on-resistance
Test Conditions
V EN = V IN , I OUT = 0
V EN = 0V, OUT open
V EN = 0V, OUT grounded
V IN = 5.0V
V IN = 3.3V
V IN = 1.8V
V IN = 1.5V
V IN = 1.5V to 6V
1.5V ≤ V IN ≤ 2.7V
2.7V < V IN < 5.25V
V IN ≥ 5.25V
V EN = 5V
R LOAD = 10 ?
AP2281-1, R LOAD = 10 ?
AP2281-3, R LOAD = 10 ?
R LOAD = 10 ?
For AP2281-3 only, V EN = GND
Min
—
—
—
—
—
—
—
—
1.4
1.6
1.7
—
—
—
—
—
—
Typ
0.01
0.01
0.01
80
95
160
210
—
—
—
—
—
1
1000
100
0.5
65
Max
1
1
1
100
120
210
280
0.4
—
—
—
1
—
1500
150
1
100
Unit
μ A
μ A
μ A
m ?
m ?
m ?
m ?
V
V
V
V
μ A
μ S
μ S
μ S
μ S
?
SOT26 (Note 6)
—
153
—
θ JA
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
U-DFN2018-6 (Note 7)
—
78
—
°C/W
SOT26 (Note 6)
—
29
—
θ JC
Thermal Resistance Junction-to-case
U-DFN2018-6 (Note 7)
—
19
—
°C/W
Notes:
6. Test condition for SOT26: Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.
7. Test condition for U-DFN2018-6: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to bottom
layer 1.0"x1.4" ground plane.
AP2281
Document number: DS31359 Rev. 7 - 2
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November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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