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参数资料
| 型号： | AP2310GN-HF |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | AP2310GN-HF |
AP2310GN-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
td(on) tr
td(off)tf
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
036
9
12
15
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =3 A
V DS =30 V
V DS =38V
V DS =48V
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
Nor
m
aliz
ed
T
h
er
mal
R
es
pons
e(R
th
ja
)
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja = 270℃/W
t
T
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP2330GN-HF | 1.7 A, 90 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP2505M37 | 2475 MHz - 2505 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| AP3450M50 | 3150 MHz - 3450 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| AP3008 | 20 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APS3008 | 20 MHz - 3000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AP2310GN-HF-3TR | 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 功能描述:MOSFET NCH 60V 90MOHM SOT-23 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 功能描述:MOSFET, NCH, 60V, 90MOHM, SOT-23 制造商:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 功能描述:MOSFET, NCH, 60V, 90MOHM, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.07ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.55V, Power , RoHS Compliant: Yes 制造商:APEC (ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP) 功能描述:MOSFET, NCH, 60V, 90MOHM, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai |
| AP2311 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:2.0A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH |
| AP2311AM8-13 | 功能描述:USB POWER SWITCH 8MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 开关类型:USB 开关 输出数:1 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 特性:负载释放，压摆率受控型，状态标志 故障保护:限流（固定），超温，反向电流，UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:2,500 |
| AP2311AMP-13 | 功能描述:USB POWER SWITCH 8MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 开关类型:USB 开关 输出数:1 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 特性:负载释放，压摆率受控型，状态标志 故障保护:限流（固定），超温，反向电流，UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘 供应商器件封装:8-MSOP-EP 标准包装:1 |
| AP2311AS-13 | 功能描述:USB POWER SWITCH 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 开关类型:USB 开关 输出数:1 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 特性:负载释放，压摆率受控型，状态标志 故障保护:限流（固定），超温，反向电流，UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 |
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